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CY14V116N: 16-Mbit (1024 K × 16) nvSRAM | Cypress Semiconductor

CY14V116N: 16-Mbit (1024 K × 16) nvSRAM

最終更新日: 
2015 年 8 月 17 日
バージョン: 
*H

16-Mbit (1024 K × 16) nvSRAM

特徴

  • 16-Mbit nonvolatile static random access memory (nvSRAM)
  • 高い信頼性
  • Sleep mode operation
  • 低消費電力
  • Operating voltage
  • Industrial temperature: –40℃~+85℃
  • 165-ball fine-pitch ball grid array (FBGA) package
  • Restriction of hazardous substances (RoHS) compliant
  • 詳しくは、PDFをご覧ください。 

機能説明

The Cypress CY14V116N is a fast SRAM, with a nonvolatile element in each memory cell. メモリは各 16 ビットの単語 1024K として構成されています。組み込み不揮発性エレメントには、QuantumTrap テクノロジが組み込まれており、世界でも最高レベルの信頼性を誇る不揮発性メモリを作り上げます。The SRAM can be read and written an infinite number of times. The nonvolatile data residing in the nonvolatile elements do not change when data is written to the SRAM.