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CY14V104LA, CY14V104NA: 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM | サイプレス セミコンダクタ

CY14V104LA, CY14V104NA: 4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM

最終更新日: 
2020 年 6 月 26 日
バージョン: 
*H

4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM

特徴

  • 25 ns および 45 ns のアクセス時間
  • Internally organized as 512 K × 8 (CY14V104LA) or 256 K × 16 (CY14V104NA)
  • 小容量コンデンサのみで電源オフ時の自動STOREのハンドオフに対応
  • STORE to QuantumTrap non-volatile elements initiated by software, device pin, or AutoStore on power-down
  • SRAMへのRECALL処理はソフトウェアまたは電源オンで実行
  • 回数に制限のないリード、ライト、RECALL サイクル
  • 1-million STORE cycles to QuantumTrap
  • 20 年のデータ保持期間
  • Core VCC = 3.0 V to 3.6 V; IO VCCQ = 1.65 V to 1.95 V
  • 工業用温度
  • 48-ball fine-pitch ball grid array (FBGA) package
  • Pb-free and restriction of hazardous substances (RoHS) compliance

機能説明

The Cypress CY14V104LA/CY14V104NA is a fast static RAM, with a non-volatile element in each memory cell. メモリは、512 K x 8 ビットまたは 256 K ワード x 16 ビットで編成されています。The embedded non-volatile elements incorporate QuantumTrap technology, producing the world’s most reliable non-volatile memory. The SRAM provides infinite read and write cycles, while independent non-volatile data resides in the highly reliable QuantumTrap cell. Data transfers from the SRAM to the non-volatile elements (the STORE operation) takes place automatically at power-down. On power-up, data is restored to the SRAM (the RECALL operation) from the non-volatile memory. Both the STORE and RECALL operations are also available under software control.

翻訳版のドキュメントは参照用です。設計開発に携わっている場合には、英語版のドキュメントを参照されることをお勧めします。