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CY14C512I, CY14B512I, CY14E512I: 512-Kbit (64 K × 8) Serial (I2C) nvSRAM with Real Time Clock | サイプレス セミコンダクタ

CY14C512I, CY14B512I, CY14E512I: 512-Kbit (64 K × 8) Serial (I2C) nvSRAM with Real Time Clock

最終更新日: 
2018 年 2 月 16 日
バージョン: 
*J

特徴

  • 512-Kbit nonvolatile static random access memory (nvSRAM)
    • Internally organized as 64 K × 8
    • STORE to QuantumTrap nonvolatile elements initiated automatically on power-down (AutoStore) or by using I2C command (Software STORE) or HSB pin (Hardware STORE)
    • RECALL to SRAM initiated on power-up (Power-Up RECALL) or by I2C command (Software RECALL)
    • 電源オフ時に小容量コンデンサにより、自動的にSTORE処理
  • 高い信頼性
    • 回数に制限のないリード、ライト、RECALL サイクル
    • QuantumTrap に対する 100 万回の STORE サイクル
    • データ保存期間: 20 years at 85 °C
  • Real Time Clock (RTC)
    • Full-featured RTC
    • ウォッチドッグタイマ
    • プログラマブル割り込みクロックアラーム
    • Backup power fail indication
    • Square wave output with programmable frequency (1 Hz, 512 Hz, 4096 Hz, 32.768 kHz)
    • RTC コンデンサまたはバックアップバッテリ
    • Backup current of 0.45 μA (typical)
  • High-speed I2C interface
    • Industry standard 100 kHz and 400 kHz speed
    • Fast mode Plus 1 MHz speed
    • High speed 3.4 MHz
    • Zero cycle delay reads and writes
  • Write protection
    • Hardware protection using Write Protect (WP) pin
    • Software block protection for one-quarter, one-half, or entire array
  • I2C access to special functions
    • Nonvolatile STORE/RECALL
    • 8-byte serial number
    • Manufacturer ID and Product ID
    • Sleep mode
  • 低消費電力
    • Average active current of 1 mA at 3.4 MHz operation
    • Average standby mode current of 250 μA
    • Sleep mode current of 8 μA
  • Industry standard configurations
    • Operating voltages:
      • CY14C512I: VCC = 2.4 V to 2.6 V
      • CY14B512I: VCC = 2.7 V to 3.6 V
      • CY14E512I: VCC = 4.5 V to 5.5 V
    • 工業用温度
    • 16-pin small outline integrated circuit (SOIC) package
    • Restriction of hazardous substances (RoHS) compliant

概要

The Cypress CY14C512I/CY14B512I/CY14E512I combines a 512-Kbit nvSRAM with a full-featured RTC in a monolithic integrated circuit with serial I2C interface. メモリは各 8 ビットの単語 64K として構成されています。組み込み不揮発性エレメントには、QuantumTrap テクノロジが組み込まれており、世界でも最高レベルの信頼性を誇る不揮発性メモリを作り上げます。回数に制限のない読み取りと書き込みをSRAMで可能にする一方、高い信頼性を提供する不揮発性データ記憶域をQuantumTrapセルで実現しています。Data transfers from SRAM to the nonvolatile elements (STORE operation) takes place automatically at power-down.On power-up, data is restored to the SRAM from the nonvolatile memory (RECALL operation). The STORE and RECALL operations can also be initiated by the user through I2C commands.