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CY14B256LA: 256-Kbit (32 K × 8) nvSRAM | サイプレス セミコンダクタ

CY14B256LA: 256-Kbit (32 K × 8) nvSRAM

最終更新日: 
2020 年 6 月 26 日
バージョン: 
*K

256-Kbit (32 K × 8) nvSRAM

特徴

  • 25 ns および 45 ns のアクセス時間
  • Internally organized as 32 K × 8 (CY14B256LA)
  • 小容量コンデンサのみで電源オフ時の自動STOREのハンドオフに対応
  • QuantumTrap不揮発性素子へのSTOREをソフトウェア、デバイスピン、または電源オフ時のAutoStoreにより実行 
  • SRAMへのRECALL処理はソフトウェアまたは電源オンで実行
  • 回数に制限のないリード、ライト、RECALL サイクル
  • QuantumTrap に対する 100 万回の STORE サイクル
  • 20-year data retention
  • Single 3 V plus symbol icon20% to –10% operation
  • 工業用温度
  • 44-pin thin small outline package (TSOP) II, 48-pin shrunk small outline package (SSOP), and 32-pin small-outline integrated circuit (SOIC) packages
  • Pb-free and restriction of hazardous substances (RoHS) compliance

機能説明

The Cypress CY14B256LA is a fast static RAM, with a nonvolatile element in each memory cell. The memory is organized as 32 K bytes of 8 bits each. 組み込み不揮発性エレメントには、QuantumTrap テクノロジが組み込まれており、世界でも最高レベルの信頼性を誇る不揮発性メモリを作り上げます。回数に制限のないリードとライトをSRAMで可能にする一方、それとは別に不揮発性データを不揮発性エレメントに保持できるようにしています。Data transfers from the SRAM to the nonvolatile elements (the  STORE operation) takes place automatically at power-down. On  power-up, data is restored to the SRAM (the RECALL operation)  from the nonvolatile memory. Both the STORE and RECALL  operations are also available under software control.  

翻訳版のドキュメントは参照用です。設計開発に携わっている場合には、英語版のドキュメントを参照されることをお勧めします。