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CY14B116L, CY14B116N, CY14B116S, CY14E116L, CY14E116N, CY14E116S: 16-Mbit (2048 K × 8/1024 K × 16/512 K × 32) nvSRAM | サイプレス セミコンダクタ

CY14B116L, CY14B116N, CY14B116S, CY14E116L, CY14E116N, CY14E116S: 16-Mbit (2048 K × 8/1024 K × 16/512 K × 32) nvSRAM

最終更新日: 
2020年5月28日
バージョン: 
*P

特徴

  • 16-Mbit nonvolatile static random access memory (nvSRAM)
    • 25-ns, 30-ns and 45-ns access times
    • Internally organized as 2048 K × 8 (CY14X116L), 1024 K × 16 (CY14X116N), 512 K × 32 (CY14X116S)
    • Hands-off automatic STORE on power-down with only a small capacitor
    • STORE to QuantumTrap nonvolatile elements is initiated by software, device pin, or AutoStore on power-down
    • SRAMへのRECALL処理はソフトウェアまたは電源オンで実行
  • 高い信頼性
    • 回数に制限のないリード、ライト、RECALL サイクル
    • QuantumTrap に対する 100 万回の STORE サイクル
    • データ保存期間: 20 年
  • Sleep mode operation
  • 低消費電力
    • Active current of 75 mA at 45 ns
    • Standby mode current of 650 μA
    • Sleep mode current of 10 μA
  • Operating voltages:
    • CY14B116X: VCC = 2.7 V to 3.6 V
    • CY14E116X: VCC = 4.5 V to 5.5 V
  • Industrial temperature: –40℃~+85℃
  • Packages
    • 44-pin thin small-outline package (TSOP II)
    • 48-pin thin small-outline package (TSOP I)
    • 54-pin thin small-outline package (TSOP II)
    • 60-ball fine-pitch ball grid array (FBGA) package
    • 165-ball fine-pitch ball grid array (FBGA) package
  • Restriction of hazardous substances (RoHS) compliant
  • Offered speeds
    • 44-pin TSOP II: 25 ns and 45 ns
    • 48-pin TSOP I: 30 ns and 45 ns
    • 54-pin TSOP II: 25 ns and 45 ns
    • 60-ball FBGA: 25 ns
    • 165-ball FBGA: 25 ns and 45 ns


機能説明

The Cypress CY14X116L/CY14X116N/CY14X116S is a fast SRAM, with a nonvolatile element in each memory cell. The memory is organized as 2048 K bytes of 8 bits each or 1024 K words of 16 bits each or 512 K words of 32 bits each. 組み込み不揮発性エレメントには、QuantumTrap テクノロジが組み込まれており、世界でも最高レベルの信頼性を誇る不揮発性メモリを作り上げます。The SRAM can be read and written an infinite number of times. The nonvolatile data residing in the nonvolatile elements do not change when data is written to the SRAM. Data transfers from the SRAM to the nonvolatile elements (the STORE operation) takes place automatically at power-down. On power-up, data is restored to the SRAM (the RECALL operation) from the nonvolatile memory. Both the STORE and RECALL operations are also available under software control.

翻訳版のドキュメントは参照用です。設計開発に携わっている場合には、英語版のドキュメントを参照されることをお勧めします。