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CY14B108L, CY14B108N: 8-Mbit (1024 K × 8/512 K × 16) nvSRAM | サイプレス セミコンダクタ

CY14B108L, CY14B108N: 8-Mbit (1024 K × 8/512 K × 16) nvSRAM

最終更新日: 
2017年5月10日
バージョン: 
*P

特徴

  • 20 ns 、25 ns、45 ns のアクセス時間
  • Internally organized as 1024 K × 8 (CY14B108L) or 512 K ×16 (CY14B108N)
  • 小容量コンデンサのみで電源オフ時の自動STOREのハンドオフに対応
  • QuantumTrap不揮発性素子へのSTOREをソフトウェア、デバイスピン、または電源オフ時のAutoStoreにより実行 
  • SRAMへのRECALL処理はソフトウェアまたは電源オンで実行
  • 回数に制限のないリード、ライト、RECALL サイクル
  • QuantumTrap に対する 100 万回の STORE サイクル
  • 20 年のデータ保持期間
  • Single 3 V +20%, –10% operation
  • 工業用温度
  • Packages
    • 44-/54-pin thin small outline package (TSOP) Type II
    • 48-ball fine-pitch ball grid array (FBGA)
  • 鉛フリーおよび有害物質の制限(RoHS)に準拠

機能説明

The Cypress CY14B108L/CY14B108N is a fast static RAM (SRAM), with a nonvolatile element in each memory cell. The memory is organized as 1024 Kbytes of 8 bits each or 512 K words of 16 bits each. 組み込み不揮発性エレメントには、QuantumTrap テクノロジが組み込まれており、世界でも最高レベルの信頼性を誇る不揮発性メモリを作り上げます。回数に制限のないリードとライトをSRAMで可能にする一方、それとは別に不揮発性データを不揮発性エレメントに保持できるようにしています。Data transfers from the SRAM to the nonvolatile elements (the STORE operation) takes place automatically at power-down. On power-up, data is restored to the SRAM (the RECALL operation) from the nonvolatile memory. Both the STORE and RECALL operations are also available under software control.

翻訳版のドキュメントは参照用です。設計開発に携わっている場合には、英語版のドキュメントを参照されることをお勧めします。