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CY14B104LA, CY14B104NA: 4-Mbit (512 K × 8/256 K × 16) nvSRAM | サイプレス セミコンダクタ

CY14B104LA, CY14B104NA: 4-Mbit (512 K × 8/256 K × 16) nvSRAM

最終更新日: 
2017年5月22日
バージョン: 
*O

4-Mbit (512 K × 8/256 K × 16) nvSRAM

特徴

  • 20 ns 、25 ns、45 ns のアクセス時間
  • Internally organized as 512K x 8 (CY14B104LA) or 256K x 16 (CY14B104NA)
  • 小容量コンデンサのみを使用した電源オフ時のハンドオフ自動 STORE
  • QuantumTrap 不揮発性エレメントへの STORE はソフトウェア、デバイスピン、または電源オフ時の AutoStore により開始
  • SPAM への RECALL 処理はソフトウェアにより、または電源オンで開始
  • 回数に制限のないリード、ライト、RECALL サイクル
  • QuantumTrap に対する 100 万回の STORE サイクル
  • 20 年のデータ保持期間
  • Single 3V 20%, -10% operation
  • 工業用温度
  • Packages
    • 44-/54-pin thin small outline package (TSOP) Type II
    • 48-ball fine-pitch ball grid array (FBGA)
  • 鉛フリーおよび有害物質の制限(RoHS)に準拠
  • 詳しくは、PDF をご覧ください。

機能説明

The Cypress CY14B104LA/CY14B104NA is a fast static RAM (SRAM), with a non-volatile element in each memory cell. The memory is organized as 512 K bytes of 8 bits each or 256 K words of 16-bits each. The embedded non-volatile elements incorporate QuantumTrap technology, producing the world’s most reliable non-volatile memory. The SRAM provides infinite read and write cycles, while independent non-volatile data resides in the highly reliable QuantumTrap cell. Data transfers from the SRAM to the non-volatile elements (the STORE operation) takes place automatically at power-down. On power-up, data is restored to the SRAM (the RECALL operation) from the non-volatile memory. Both the STORE and RECALL operations are also available under software control.