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AN43380 - HSB Operation in nvSRAMs | サイプレス セミコンダクタ

AN43380 - HSB Operation in nvSRAMs

最終更新日: 
2018 年 1 月 24 日
バージョン: 
*D

はじめに

Cypress’s nonvolatile synchronous random access memory (nvSRAM) combines the best features of SRAM and EEPROM and makes it the fastest and the most reliable nonvolatile memory. Every bit of the nvSRAM is constituted by integrating a fast SRAM and a SONOS (Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) nonvolatile memory. The SRAM is read from and written to it an infinite number of times, while independent nonvolatile data resides in the nonvolatile elements.

HSB Operation in nvSRAMs Diagram (AN43380)

翻訳版のドキュメントは参照用です。設計開発に携わっている場合には、英語版のドキュメントを参照されることをお勧めします。