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AN42468 - On-Die Termination for QDR(R) II+/DDR II+ SRAMs | サイプレス セミコンダクタ

AN42468 - On-Die Termination for QDR(R) II+/DDR II+ SRAMs

最終更新日: 
2020年5月28日
バージョン: 
*I
AN42468 discusses on-die termination (ODT) scheme, implementation, advantages and power calculation for the QDR¿II+ and DDRII+ family of Synchronous SRAMs on the 65-nm technology devices.

AN42468 discusses on-die termination (ODT) scheme, implementation, advantages and power calculation for the QDRII+ and DDRII+ family of Synchronous SRAMs on the 65-nm technology devices.

ODT has the following advantages:

  • Improves signal integrity by having termination closer to the device inputs
  • Simplifies board routing
  • Saves board space by eliminating external resistors
  • Reduces cost involved in using external termination resistors

For ODT-enabled QDRII+ and DDRII+ SRAMs, ODT is offered on the following input signals:

  • Input clocks (K and Kb clocks)
  • Data input signals
  • Control signals (Byte Write Select signals)

The figure below shows the ODT implementation for Cypress QDRII+/DDRII+ SRAMs:

  

以下のリンクをクリックすることで、目的の周波数に必要なIdd電流、総電力消費、および同期SRAMの接合部温度を計算するツールを使用することができます。

https://www.cypress.com/?docID=23984

公式内で使用するVdd 電圧と Idd電流については、 各製品のデータシートを参照してください。

翻訳版のドキュメントは参照用です。設計開発に携わっている場合には、英語版のドキュメントを参照されることをお勧めします。